Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 4.7601 EUR
Availability: InStock

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SPB80P06PGATMA1
Número de produto da DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPB80P06PGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SPB80P06PGATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	SIPMOS®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	23mOhm a 64A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 5,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5033 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	340W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SPB80P06