Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 5.0061 EUR
Availability: OutOfStock

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SPB80P06PGATMA1
Número de produto da DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPB80P06PGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SPB80P06PGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 173 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries SIPMOS®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5033 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 340W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 80A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 23mOhm a 64A, 10V	Número base de produto SPB80P06
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 5,5mA