Name: SPD08N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD08N50C3ATMA1TR-ND
Price: 2.6568 EUR
Availability: InStock

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SPD08N50C3ATMA1
Número de produto da DigiKey	SPD08N50C3ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) SPD08N50C3ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) SPD08N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPD08N50C3ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 7,6A (Tc) 83W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SPD08N50C3ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	600mOhm a 4,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 350µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	750 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	SPD08N50