Name: SPD18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPD18P06PGATMA1TR-ND
Price: 1.8819 EUR
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

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SPD18P06PGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-SPD18P06PGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-SPD18P06PGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-SPD18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPD18P06PGATMA1
Descrição	MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 18,6A (Tc) 80W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-311

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 33 nC @ 10 V
Séries SIPMOS®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 860 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18,6A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3-311
Rds on (máx.) para Id, Vgs 130mOhm a 13,2A, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário sem VAT:	1,53000 €
Preço unitário com VAT:	1,88190 €

SPD18P06PGATMA1