SPW17N80C3A Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

SPW17N80C3A
Número de produto da DigiKey	SPW17N80C3A-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	SPW17N80C3A
Descrição	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na Digi-Key
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	290mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2320 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	227W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO247-3-1
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	SPW17N

Quantidade	Preço unitário	Preço total
240	2,77854 €	666,85 €

Preço unitário sem VAT:	2,77854 €
Preço unitário com VAT:	3,41760 €

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