
IXFN170N65X2 | |
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Número de produto da DigiKey | IXFN170N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFN170N65X2 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 27 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 170A (Tc) 1170W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 13mOhm a 85A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 8mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 434 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 27000 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1170W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227B | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 1 | 49,68000 € | 49,68 € |
| 10 | 37,87200 € | 378,72 € |
| 100 | 36,57290 € | 3 657,29 € |
| Preço unitário sem VAT: | 49,68000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 61,10640 € |


