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Microchip Technology
Em estoque: 0
Preço unitário : 43,48700 €
Ficha técnica
238~SOT227B~~4
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IXFN30N120P

Número de produto da DigiKey
IXFN30N120P-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXFN30N120P
Descrição
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Tempo de espera previsto do fabricante
32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 30A (Tc) 890W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
350mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
6,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
19000 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227B
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
30040,89383 €12 268,15 €
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.
Preço unitário sem VAT:40,89383 €
Preço unitário com VAT:50,29941 €