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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IXFN32N120P | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IXFN32N120P-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXFN32N120P |
Descrição | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
Tempo de espera previsto do fabricante | 65 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 310mOhm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 6,5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 360 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 21000 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1000W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227B | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 63
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 62,20000 € | 62,20 € |
| 10 | 48,09500 € | 480,95 € |
| Preço unitário sem VAT: | 62,20000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 76,50600 € |
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