Canal N 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
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IXFN66N85X

Número de produto da DigiKey
238-IXFN66N85X-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXFN66N85X
Descrição
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montagem em chassis SOT-227B
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
850 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
65mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,5V a 8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
8900 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
830W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227B
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
137,94000 €37,94 €
1028,46900 €284,69 €
10026,26770 €2 626,77 €
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