Canal N 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Montagem em superfície TO-268AA
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IXFT18N100Q3

Número de produto da DigiKey
IXFT18N100Q3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
IXFT18N100Q3
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Tempo de espera previsto do fabricante
46 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Montagem em superfície TO-268AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
660mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
6,5V a 4mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4890 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
830W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-268AA
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
30011,50933 €3 452,80 €
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Preço unitário sem VAT:11,50933 €
Preço unitário com VAT:14,15648 €