IXFX90N60X IXYS | Produtos semicondutores discretos

IXFX90N60X está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXFX90N60X
Número de produto da DigiKey	IXFX90N60X-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXFX90N60X
Descrição	MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Furo passante PLUS247™ -3

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	HiPerFET™, Ultra X
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	38mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	8500 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PLUS247™ -3
Pacote / Invólucro	Variante TO-247-3
Número base de produto	IXFX90