Name: IXTA20N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA20N65X2-ND
Price: 3.2882 EUR
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

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IXTA20N65X2
Número de produto da DigiKey	238-IXTA20N65X2-ND
Fabricante	IXYS
Número de produto do fabricante	IXTA20N65X2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	41 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 20A (Tc) 290W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	IXYS
Séries	Ultra X2
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	185mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1450 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	290W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IXTA20

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Quantidade

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
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