IXTH24N65X2 está fora de estoque e pode ser colocado na pendência de pedidos.
Substitutos disponíveis:

Similar

FCH190N65F-F155
onsemi
Em estoque: 381
Preço unitário : 6,17000 €
Ficha técnica

Similar

SCT3120ALGC11
Rohm Semiconductor
Em estoque: 282
Preço unitário : 7,33000 €
Ficha técnica

Similar

STW26NM60N
STMicroelectronics
Em estoque: 385
Preço unitário : 6,68000 €
Ficha técnica

Similar

STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
Em estoque: 582
Preço unitário : 3,45000 €
Ficha técnica

Similar

STW28N60DM2
STMicroelectronics
Em estoque: 585
Preço unitário : 4,08000 €
Ficha técnica

Similar

STW30N80K5
STMicroelectronics
Em estoque: 0
Preço unitário : 7,55000 €
Ficha técnica

Similar

TK16N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
Em estoque: 20
Preço unitário : 4,99000 €
Ficha técnica

Similar

TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
Em estoque: 43
Preço unitário : 6,88000 €
Ficha técnica

Similar

TK20N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
Em estoque: 23
Preço unitário : 4,75000 €
Ficha técnica
Ver e comparar todos os substitutos
Canal N 650 V 24A (Tc) 390W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IXTH24N65X2

Número de produto da DigiKey
IXTH24N65X2-ND
Fabricante
IXYS
Número de produto do fabricante
IXTH24N65X2
Descrição
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 24A (Tc) 390W (Tc) Furo passante TO-247 (IXTH)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
IXYS
Séries
Ultra X2
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
145mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2060 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247 (IXTH)
Pacote / Invólucro
TO-247-3
Número base de produto
IXTH24
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

0 em estoque
Verifique o tempo de espera
Solicitar notificação de estoque
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
16,51000 €6,51 €
303,76100 €112,83 €
1203,15775 €378,93 €
5102,74112 €1 397,97 €
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.
Preço unitário sem VAT:6,51000 €
Preço unitário com VAT:8,00730 €