
IXTT170N10P | |
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Número de produto da DigiKey | 238-IXTT170N10P-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IXTT170N10P |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 170A TO268 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 37 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Montagem em superfície TO-268AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 9mOhm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 198 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 6000 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 715W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-268AA | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 11,88000 € | 11,88 € |
| 30 | 7,22600 € | 216,78 € |
| 120 | 6,20558 € | 744,67 € |
| 510 | 6,02808 € | 3 074,32 € |
| Preço unitário sem VAT: | 11,88000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 14,61240 € |











