Name: G3R350MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-TR-ND
Price: 9.4341 EUR
Availability: OutOfStock

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G3R350MT12J-TR
Número de produto da DigiKey	1913-G3R350MT12J-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1913-G3R350MT12J-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1913-G3R350MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Navitas Semiconductor, Inc.
Número de produto do fabricante	G3R350MT12J-TR
Descrição	1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 10A (Tc) 64W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 395mOhm para 4A, 18V
Fabricante Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (máx.) para Id 2,7V a 2mA
Séries G3R™, LoRing™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 10 nC @ 15 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Part Status Última compra	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 331 pF @ 800 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 64W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA