Name: GAN039-650NBBHP
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN039-650NBBHPTR-ND
Price: 15.8055 EUR
Availability: InStock

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GAN039-650NBBHP
Número de produto da DigiKey	1727-GAN039-650NBBHPTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-GAN039-650NBBHPCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-GAN039-650NBBHPDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GAN039-650NBBHP
Descrição	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Tempo de espera previsto do fabricante	4 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície CCPAK1212
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,6V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1980 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 58,5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido CCPAK1212
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 12-BESOP (largura 0,370", 9,40mm), pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 39mOhm a 32A, 10V