GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | FET simples, MOSFETs

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GAN039-650NTBJ

Nexperia USA Inc.

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Preço unitário : 12,85000 €

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Canal N 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície CCPAK1212i

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GAN039-650NTBZ
Número de produto da DigiKey	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GAN039-650NTBZ
Descrição	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície CCPAK1212i
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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,6V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Descontinuado na DigiKey	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1980 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 58,5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido CCPAK1212i
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 12-BESOP (largura 0,370", 9,40mm), pad exposto
Rds on (máx.) para Id, Vgs 39mOhm a 32A, 10V

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Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
GAN039-650NTBJ	Nexperia USA Inc.	576	1727-GAN039-650NTBJCT-ND	12,85000 €	Recomendado pelo fabricante

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