GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Produtos semicondutores discretos

GAN063-650WSAQ está obsoleto e não é mais fabricado.

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Nexperia USA Inc.

Em estoque: 284

Preço unitário : 15,02000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GAN063-650WSAQ
Número de produto da DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GAN063-650WSAQ
Descrição	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Furo passante TO-247-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	GAN063-650WSAQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	34,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	60mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1000 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	143W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-3
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	GAN063