Name: PSMN1R2-30YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1860-2-ND
Price: 2.6568 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R2-30YLDX
Número de produto da DigiKey	1727-1860-2-ND - Fita e carretel (TR) 1727-1860-1-ND - Fita cortada (CT) 1727-1860-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R2-30YLDX
Descrição	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 100A (Tc) 194W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,24mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4616 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	194W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Invólucro	SC-100, SOT-669
Número base de produto	PSMN1R2