Name: PSMN1R7-40YLBX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLBXTR-ND
Price: 2.6937 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PSMN1R7-40YLBX
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLBXTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN1R7-40YLBXCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN1R7-40YLBXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R7-40YLBX
Descrição	PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 200A (Tc) 194W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,8mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,05V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	8138 pF @ 20 V
Característica FET	Diodo Schottky (corpo)
Dissipação de potência (máx.)	194W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Invólucro	SC-100, SOT-669