Name: PSMN1R8-80SSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R8-80SSFJTR-ND
Price: 6.9495 EUR
Availability: OutOfStock

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Preço unitário : 7,73000 €

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PSMN1R8-80SSFJ
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN1R8-80SSFJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN1R8-80SSFJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN1R8-80SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R8-80SSFJ
Descrição	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 270A (Tc) 341W (Tc) Montagem em superfície LFPAK88 (SOT1235)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 222 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 15319 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 341W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 270A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido LFPAK88 (SOT1235)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro SOT-1235
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,8mOhm a 25A, 10V	Número base de produto PSMN1R8