Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 7.5276 EUR
Availability: OutOfStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PSMN2R3-100SSEJ
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN2R3-100SSEJ
Descrição	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Montagem em superfície LFPAK88 (SOT1235)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	PSMN2R3-100SSEJ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 160 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 17200 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 341W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 255A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido LFPAK88 (SOT1235)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro SOT-1235
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,2mOhm a 25A, 10V	Número base de produto PSMN2R3