Name: PSMN3R3-80YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R3-80YSFXTR-ND
Price: 2.3247 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PSMN3R3-80YSFX
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN3R3-80YSFXTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN3R3-80YSFXCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN3R3-80YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN3R3-80YSFX
Descrição	PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 160A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56, Power-SO8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 108 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6986 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 160A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido LFPAK56, Power-SO8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro SC-100, SOT-669
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,1mOhm a 25A, 10V