NC1M120C75HTNG NovuSem | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NC1M120C75HTNG
Número de produto da DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Fabricante	NovuSem
Número de produto do fabricante	NC1M120C75HTNG
Descrição	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Furo passante TO-247-4L
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	NovuSem
Séries	NC1M
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	75mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,8V a 5mA
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1450 pF @ 1000 V
Dissipação de potência (máx.)	288W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-4L
Pacote / Invólucro	TO-247-4