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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NH3T008MP120F2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5140-NH3T008MP120F2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NH3T008MP120F2 |
Descrição | 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tc) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | NoMIS Power | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 200A (Tc) | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V @ 100mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 530nC @ 20V | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
Em estoque: 6
PRODUTO DO MERCADO
Será enviado em aproximadamente 5 dias pela NoMIS Power
Será aplicada separadamente uma taxa de frete fixa de 129,09 €
Em um esforço para dar suporte a pesquisa e desenvolvimento necessários de todos os clientes, implementamos um limite máximo de compra para este produto.
O limite pode ser adquirido a cada 30 dias e qualquer quantidade acima desse limite resultará na pendência de pedidos ou cancelamento deste produto.
LIMITE MÁXIMO DE COMPRA
| Bandeja: | 9 |
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 128,23000 € | 128,23 € |
| Preço unitário sem VAT: | 128,23000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 157,72290 € |
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