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Equivalente paramétrico

2SC2712-GR,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage
Em estoque: 899
Preço unitário : 0,26000 €
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Equivalente paramétrico

NXP3875GR
Nexperia USA Inc.
Em estoque: 2 888
Preço unitário : 0,21000 €
Ficha técnica
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Transístor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montagem em superfície SC-59
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Transístor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montagem em superfície SC-59
SC 59

2SC2712GT1G

Número de produto da DigiKey
488-2SC2712GT1G-ND
Fabricante
onsemi
Número de produto do fabricante
2SC2712GT1G
Descrição
TRANS NPN 50V 0.15A SC-59
Referência do cliente
Descrição detalhada
Transístor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montagem em superfície SC-59
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)
150 mA
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)
50 V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic
250mV a 10mA, 100mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce
200 a 2mA, 6V
Potência - Máx.
200 mW
Frequência - Transição
80MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Invólucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Invólucro do dispositivo fornecido
SC-59
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