2SC6017-E onsemi | Transistores bipolares individuais

2SC6017-E
Número de produto da DigiKey	2SC6017-EOS-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	2SC6017-E
Descrição	TRANS NPN 50V 10A TP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar (BJT) NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Furo passante TP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	2SC6017-E Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares individuais
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Obsoleto
Tipo de transistor	NPN
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	10 A
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	50 V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic	360mV a 250mA, 5A
Corrente - Corte do coletor (máx.)	10µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	200 a 1A, 2V
Potência - Máx.	950 mW
Frequência - Transição	200MHz
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Furo passante
Pacote / Invólucro	TO-251-3 condutores curtos, IPAK, TO-251AA
Invólucro do dispositivo fornecido	TP
Número base de produto	2SC6017

2SC6017-E