CPH3350-TL-W onsemi | Produtos semicondutores discretos

CPH3350-TL-W está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Recomendado pelo fabricante

onsemi

Em estoque: 21 899

Preço unitário : 0,77000 €

Similar

Taiwan Semiconductor Corporation

Em estoque: 117 728

Preço unitário : 0,55000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

CPH3350-TL-W
Número de produto da DigiKey	CPH3350-TL-WOSTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	CPH3350-TL-W
Descrição	MOSFET P-CH 20V 3A 3CPH
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 3A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície 3-CPH
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	CPH3350-TL-W Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	83mOhm a 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	375 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	3-CPH
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	CPH3350