Name: FCD4N60TM
Brand: onsemi
SKU: FCD4N60TMTR-ND
Price: 2.7306 EUR
Availability: InStock

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FCD4N60TM
Número de produto da DigiKey	FCD4N60TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FCD4N60TMCT-ND - Fita cortada (CT) FCD4N60TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCD4N60TM
Descrição	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 3,9A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCD4N60TM Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16.6 nC @ 10 V
Séries SuperFET™	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 540 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,9A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FCD4N60
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,2Ohm a 2A, 10V