FCP190N60 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 1 248
Preço unitário : 3,64000 €
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 3 148
Preço unitário : 3,63000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 500
Preço unitário : 3,55000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 2 452
Preço unitário : 2,99000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 348
Preço unitário : 3,51000 €
Ficha técnica

Similar


Rochester Electronics, LLC
Em estoque: 18 890
Preço unitário : 1,84829 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 1 817
Preço unitário : 3,52000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 3 338
Preço unitário : 4,09000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 777
Preço unitário : 3,37000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 674
Preço unitário : 3,45000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 902
Preço unitário : 3,44000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 691
Preço unitário : 3,00000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 991
Preço unitário : 3,15000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 363
Preço unitário : 6,53000 €
Ficha técnica
TO-220-3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FCP190N60

Número de produto da DigiKey
FCP190N60-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
FCP190N60
Descrição
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 20,2A (Tc) 208W (Tc) Furo passante TO-220-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
FCP190N60 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Tubo
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
199mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2950 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220-3
Pacote / Invólucro
Número base de produto
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Obsoleto
Este produto não é mais fabricado. Ver Substitutos.