Name: FDB12N50TM
Brand: onsemi
SKU: FDB12N50TMTR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: InStock

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FDB12N50TM
Número de produto da DigiKey	FDB12N50TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FDB12N50TMCT-ND - Fita cortada (CT) FDB12N50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB12N50TM
Descrição	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	UniFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	650mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1315 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	165W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FDB12N50