Name: FDB28N30TM
Brand: onsemi
SKU: FDB28N30TMTR-ND
Price: 3.0996 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDB28N30TM
Número de produto da DigiKey	FDB28N30TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FDB28N30TMCT-ND - Fita cortada (CT) FDB28N30TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB28N30TM
Descrição	MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 300 V 28A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	UniFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	300 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	28A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	129mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2250 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FDB28N30