Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 4.6248 EUR
Availability: InStock

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FDB3632
Número de produto da DigiKey	FDB3632TR-ND - Fita e carretel (TR) FDB3632CT-ND - Fita cortada (CT) FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB3632
Descrição	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	41 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDB3632 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 110 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6000 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 310W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto FDB363
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9mOhm a 80A, 10V