Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 2.7675 EUR
Availability: InStock

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FDB86102LZ
Número de produto da DigiKey	FDB86102LZTR-ND - Fita e carretel (TR) FDB86102LZCT-ND - Fita cortada (CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB86102LZ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 8,3A (Ta), 30A (Tc) 3,1W (Ta) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8,3A (Ta), 30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	24mOhm a 8,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1275 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,1W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FDB86102