Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 0.9963 EUR
Availability: InStock

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FDC658AP
Número de produto da DigiKey	FDC658APTR-ND - Fita e carretel (TR) FDC658APCT-ND - Fita cortada (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDC658AP
Descrição	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4A (Ta) 1,6W (Ta) Montagem em superfície SuperSOT™-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDC658AP Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.1 nC @ 5 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 470 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,6W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido SuperSOT™-6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto FDC658
Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 4A, 10V