Name: FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658PTR-ND
Price: 1.2915 EUR
Availability: InStock

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FDC658P
Número de produto da DigiKey	FDC658PTR-ND - Fita e carretel (TR) FDC658PCT-ND - Fita cortada (CT) FDC658PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDC658P
Descrição	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4A (Ta) 1,6W (Ta) Montagem em superfície SuperSOT™-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDC658P Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	750 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,6W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SuperSOT™-6
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	FDC658