Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 1.722 EUR
Availability: InStock

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FDD1600N10ALZ
Número de produto da DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Fita e carretel (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Fita cortada (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD1600N10ALZ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 6,8A (Tc) 14,9W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDD1600N10ALZ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,8V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.61 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 225 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 14,9W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,8A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V	Número base de produto FDD1600
Rds on (máx.) para Id, Vgs 160mOhm a 3,4A, 10V