Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 2.5092 EUR
Availability: InStock

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FDD86102LZ
Número de produto da DigiKey	FDD86102LZFSTR-ND - Fita e carretel (TR) FDD86102LZFSCT-ND - Fita cortada (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD86102LZ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDD86102LZ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1540 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,1W (Ta), 54W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta), 35A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto FDD86102
Rds on (máx.) para Id, Vgs 22,5mOhm a 8A, 10V