Name: FDD86110
Brand: onsemi
SKU: FDD86110TR-ND
Price: 3.6777 EUR
Availability: InStock

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FDD86110
Número de produto da DigiKey	FDD86110TR-ND - Fita e carretel (TR) FDD86110CT-ND - Fita cortada (CT) FDD86110DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD86110
Descrição	MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 12,5A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 127W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12,5A (Ta), 50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10,2mOhm a 12,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2265 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,1W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FDD861