Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 0.7257 EUR
Availability: InStock

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FDN5618P
Número de produto da DigiKey	FDN5618PTR-ND - Fita e carretel (TR) FDN5618PCT-ND - Fita cortada (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDN5618P
Descrição	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 1,25A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDN5618P Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,25A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	170mOhm a 1,25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	430 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	FDN5618

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