Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 1.1562 EUR
Availability: InStock

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FDN5632N-F085
Número de produto da DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Fita e carretel (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Fita cortada (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDN5632N-F085
Descrição	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 1,7A (Ta) 1,1W (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDN5632N-F085 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Séries PowerTrench®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 475 pF @ 15 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 1,1W (Ta)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 1,7A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 82mOhm a 1,7A, 10V	Número base de produto FDN5632
Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA