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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | FDP039N08B-F102-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | FDP039N08B-F102 |
Descrição | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 32 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Furo passante TO-220-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | FDP039N08B-F102 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 133 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 9450 pF @ 40 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 214W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-220-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,9mOhm a 100A, 10V |
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Substitutos (2)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | 3,86000 € | Similar |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 399 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | 4,59800 € | Equivalente paramétrico |
Em estoque: 18
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 7,80000 € | 7,80 € |
| 10 | 5,34700 € | 53,47 € |
| 100 | 3,95650 € | 395,65 € |
| 800 | 3,49585 € | 2 796,68 € |
| Preço unitário sem VAT: | 7,80000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 9,59400 € |
