Name: FDS2582
Brand: onsemi
SKU: FDS2582TR-ND
Price: 1.9926 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDS2582
Número de produto da DigiKey	FDS2582TR-ND - Fita e carretel (TR) FDS2582CT-ND - Fita cortada (CT) FDS2582DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS2582
Descrição	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 4,1A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	66mOhm a 4,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1290 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	FDS25