FDS3512 onsemi | FET simples, MOSFETs

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDS3512
Número de produto da DigiKey	FDS3512TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS3512
Descrição	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 4A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 18 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR)	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 634 pF @ 40 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto FDS35
Rds on (máx.) para Id, Vgs 70mOhm a 4A, 10V

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Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
FDS3590	onsemi	2 485	FDS3590CT-ND	1,36000 €	Recomendado pelo fabricante
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2 504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	3,30000 €	Similar

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