Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 1.2177 EUR
Availability: InStock

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FDS4435BZ
Número de produto da DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Fita e carretel (TR) FDS4435BZCT-ND - Fita cortada (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS4435BZ
Descrição	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	36 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDS4435BZ Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1845 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,8A (Ta)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto FDS4435
Rds on (máx.) para Id, Vgs 20mOhm a 8,8A, 10V