Name: FDS86267P
Brand: onsemi
SKU: FDS86267PTR-ND
Price: 2.583 EUR
Availability: InStock

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FDS86267P
Número de produto da DigiKey	FDS86267PTR-ND - Fita e carretel (TR) FDS86267PCT-ND - Fita cortada (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS86267P
Descrição	MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 150 V 2,2A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDS86267P Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1130 pF @ 75 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,2A (Ta)	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto FDS86267
Rds on (máx.) para Id, Vgs 255mOhm a 2,2A, 10V