Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 3.0996 EUR
Availability: InStock

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FQB12P20TM
Número de produto da DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB12P20TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB12P20TM
Descrição	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 200 V 11,5A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQB12P20TM Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 40 nC @ 10 V
Séries QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1200 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,13W (Ta), 120W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11,5A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FQB12P20
Rds on (máx.) para Id, Vgs 470mOhm a 5,75A, 10V