Name: FQB12P20TM
Brand: onsemi
SKU: FQB12P20TMTR-ND
Price: 2.9397 EUR
Availability: InStock

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FQB12P20TM
Número de produto da DigiKey	FQB12P20TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB12P20TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB12P20TM
Descrição	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	11 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 200 V 11,5A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQB12P20TM Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	470mOhm a 5,75A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1200 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,13W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FQB12P20