FQB33N10LTM onsemi | Produtos semicondutores discretos

FQB33N10LTM está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FQB33N10LTM
Número de produto da DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB33N10LTM
Descrição	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 33A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 16,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1630 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,75W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FQB33N10