Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 3.3456 EUR
Availability: InStock

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FQB55N10TM
Número de produto da DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB55N10TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB55N10TM
Descrição	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 55A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQB55N10TM Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26mOhm a 27,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2730 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FQB55N10