Name: FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTMTR-ND
Price: 1.1931 EUR
Availability: InStock

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FQD13N06LTM
Número de produto da DigiKey	FQD13N06LTMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQD13N06LTMCT-ND - Fita cortada (CT) FQD13N06LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQD13N06LTM
Descrição	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 11A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQD13N06LTM Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	115mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	350 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 155°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FQD13N06